98％ブラックSiCパウダーブラックシリコンカーバイドF800 F1000F1200
シリコンカーバイドは約250の結晶形で存在します。SiCの多形は、ポリタイプと呼ばれる類似の結晶構造の大きなファミリーによって特徴付けられます。これらは同じ化合物のバリエーションであり、2次元では同一であり、3次元では異なります。したがって、それらは特定の順序で積み重ねられたレイヤーとして表示できます。
アルファ炭化ケイ素（α-SiC）は、最も一般的に遭遇する多形です。1700°Cを超える温度で形成され、六角形の結晶構造を持っています（ウルツ鉱に似ています）。閃亜鉛鉱型の結晶構造（ダイヤモンドに類似）を持つベータ修飾（β-SiC）は、1700°C未満の温度で形成されます。最近まで、ベータ型は商業的用途が比較的少なかったが、アルファ型と比較して表面積が大きいため、不均一系触媒の担体としての使用への関心が高まっている。
炭化ケイ素の仕様
| 粒子サイズ | 粒子分布（µm） | |||
| 最大粒子サイズ | dにおける粒子サイズ03 | dにおける粒子サイズ50 | 94日目での粒子サイズ | |
| ＃240 | ≤127 | ≤103 | 58.6±3.0 | ≥40.0 |
| ＃280 | ≤112 | ≤87.0 | 49.4±3.0 | ≥33.0 |
| ＃320 | ≤98.0 | ≤74.0 | 41.1±2.5 | ≥27.0 |
| ＃360 | ≤86.0 | ≤66.0 | 36.1±2.0 | ≥23.0 |
| ＃400 | ≤75.0 | ≤58.0 | 30.9±2.0 | ≥20.0 |
| ＃500 | ≤63.0 | ≤50.0 | 26.4±2.0 | ≥16.0 |
| ＃600 | ≤53.0 | ≤43.0 | 21.1±1.5 | ≥13.0 |
| ＃700 | ≤45.0 | ≤37.0 | 17.9±1.3 | ≥11.0 |
| ＃800 | ≤38.0 | ≤31.0 | 14.7±1.0 | ≥9.00 |
| ＃1000 | ≤32.0 | ≤27.0 | 11.9±1.0 | ≥7.00 |
| ＃1200 | ≤27.0 | ≤23.0 | 9.90±0.80 | ≥5.50 |
| ＃1500 | ≤23.0 | ≤20.0 | 8.40±0.60 | ≥4.50 |
| ＃2000 | ≤19.0 | ≤17.0 | 6.90±0.60 | ≥4.00 |
| ＃2500 | ≤16.0 | ≤14.0 | 5.60±0.50 | ≥3.00 |
| ＃3000 | ≤13.0 | ≤11.0 | 4.00±0.50 | ≥2.00 |
| ＃4000 | ≤11.0 | ≤8.00 | 3.00±0.40 | ≥1.30 |
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